ALD212900APAL
참조 용
| 부품 번호 | ALD212900APAL |
| PNEDA 부품 번호 | ALD212900APAL |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP |
| 제조업체 | Advanced Linear Devices Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,490 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 5월 1 - 5월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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ALD212900APAL 리소스
| 브랜드 | Advanced Linear Devices Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | ALD212900APAL |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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ALD212900APAL 사양
| 제조업체 | Advanced Linear Devices Inc. |
| 시리즈 | EPAD®, Zero Threshold™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 10.6V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 80mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 14Ohm |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 10mV @ 20µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 30pF @ 5V |
| 전력-최대 | 500mW |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-PDIP |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 70mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 380pF @ 10V 전력-최대 520mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 DFN2020-6 |
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