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AO6802L_001

AO6802L_001

참조 용

부품 번호 AO6802L_001
PNEDA 부품 번호 AO6802L_001
설명 MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6-TSOP
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
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AO6802L_001 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AO6802L_001
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
AO6802L_001, AO6802L_001 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 199.82 KB)
PDFAO6802L_001 데이터 시트 표지
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AO6802L_001 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs50mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds210pF @ 15V
전력-최대1.15W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지6-TSOP

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13.5pF @ 15V

전력-최대

125mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-963

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SOT-963

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시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual), Schottky

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

74A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 40A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 2mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

272nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5120pF @ 1000V

전력-최대

470W

작동 온도

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장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

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SP1

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14.1A, 20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.4mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1300pF @ 10V

전력-최대

3W, 5.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

14-SOIC

UM6K31NTN

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

250mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.4Ohm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

15pF @ 25V

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

UMT6

SI7270DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

900pF @ 15V

전력-최대

17.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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