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APTSM120AM55CT1AG

APTSM120AM55CT1AG

참조 용

부품 번호 APTSM120AM55CT1AG
PNEDA 부품 번호 APTSM120AM55CT1AG
설명 POWER MODULE - SIC
제조업체 Microsemi
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재고 있음 3,400
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 19 - 3월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTSM120AM55CT1AG 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTSM120AM55CT1AG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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APTSM120AM55CT1AG 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual), Schottky
FET 기능Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss)1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)74A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs50mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs272nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5120pF @ 1000V
전력-최대470W
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP1
공급자 장치 패키지SP1

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V, 8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

630mA, 775mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

375mOhm @ 630mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

46pF @ 20V

전력-최대

270mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88/SC70-6/SOT-363

MCH6602-TL-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

350mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.7Ohm @ 80mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.58nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7pF @ 10V

전력-최대

800mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

6-MCPH

DMC3061SVT-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

34A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 6A, 10V, 19mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V, 15nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1390pF @ 25V, 650pF @ 25V

전력-최대

48W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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