APTSM120AM55CT1AG
참조 용
| 부품 번호 | APTSM120AM55CT1AG |
| PNEDA 부품 번호 | APTSM120AM55CT1AG |
| 설명 | POWER MODULE - SIC |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,400 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 19 - 3월 24 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTSM120AM55CT1AG 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APTSM120AM55CT1AG |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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APTSM120AM55CT1AG 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| FET 기능 | Silicon Carbide (SiC) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 74A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 40A, 20V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 2mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 272nC @ 20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5120pF @ 1000V |
| 전력-최대 | 470W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP1 |
| 공급자 장치 패키지 | SP1 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 350mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.7Ohm @ 80mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.58nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7pF @ 10V 전력-최대 800mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 6-MCPH |
제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
