APT25GP120BDQ1G
참조 용
| 부품 번호 | APT25GP120BDQ1G | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | APT25GP120BDQ1G | ||||||||||||||||||
| 설명 | IGBT 1200V 69A 417W TO247 | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Microsemi | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 493 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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APT25GP120BDQ1G 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APT25GP120BDQ1G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-IGBT-단일 |
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APT25GP120BDQ1G 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | POWER MOS 7® |
| IGBT 유형 | PT |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 1200V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 69A |
| 전류-수집기 펄스 (Icm) | 90A |
| Vce (on) (최대) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 25A |
| 전력-최대 | 417W |
| 에너지 전환 | 500µJ (on), 440µJ (off) |
| 입력 유형 | Standard |
| 게이트 차지 | 110nC |
| Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C | 12ns/70ns |
| 테스트 조건 | 600V, 25A, 5Ohm, 15V |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
| 공급자 장치 패키지 | TO-247 [B] |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 STMicroelectronics 시리즈 PowerMESH™ IGBT 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 600V 전류-수집기 (Ic) (최대) 42A 전류-수집기 펄스 (Icm) 60A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 12A 전력-최대 140W 에너지 전환 85µJ (on), 189µJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 53nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 25ns/97ns 테스트 조건 390V, 12A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) 31ns 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-3 공급자 장치 패키지 TO-247 Long Leads |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - IGBT 유형 NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대) 6.2A 전류-수집기 펄스 (Icm) 9.6A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 2A 전력-최대 62W 에너지 전환 220µJ 입력 유형 Standard 게이트 차지 11nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 23ns/260ns 테스트 조건 800V, 2A, 91Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지 PG-TO263-3 |
제조업체 Littelfuse Inc. 시리즈 - IGBT 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 500V 전류-수집기 (Ic) (최대) 20A 전류-수집기 펄스 (Icm) 50A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2V @ 4V, 15A 전력-최대 150W 에너지 전환 - 입력 유형 Logic 게이트 차지 - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C - 테스트 조건 - 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지 D2PAK |
제조업체 IXYS 시리즈 BIMOSFET™ IGBT 유형 NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 3000V 전류-수집기 (Ic) (최대) 38A 전류-수집기 펄스 (Icm) 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 14A 전력-최대 200W 에너지 전환 - 입력 유형 Standard 게이트 차지 62nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 40ns/166ns 테스트 조건 960V, 14A, 20Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) 1.4µs 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지 TO-263 |
제조업체 IXYS 시리즈 GenX4™, XPT™ IGBT 유형 PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 650V 전류-수집기 (Ic) (최대) 370A 전류-수집기 펄스 (Icm) 1000A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 160A 전력-최대 1150W 에너지 전환 4.4mJ (on), 2.2mJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 553nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 62ns/245ns 테스트 조건 400V, 100A, 1Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지 TO-264 (IXXK) |
