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IXXK200N65B4

IXXK200N65B4

참조 용

부품 번호 IXXK200N65B4
PNEDA 부품 번호 IXXK200N65B4
설명 IGBT 650V 370A 1150W TO264
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXXK200N65B4 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXXK200N65B4
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXXK200N65B4, IXXK200N65B4 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 233.13 KB)
PDFIXXK200N65B4 데이터 시트 표지
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IXXK200N65B4 사양

제조업체IXYS
시리즈GenX4™, XPT™
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)370A
전류-수집기 펄스 (Icm)1000A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 160A
전력-최대1150W
에너지 전환4.4mJ (on), 2.2mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지553nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C62ns/245ns
테스트 조건400V, 100A, 1Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지TO-264 (IXXK)

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제조업체

IXYS

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-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 32A

전력-최대

200W

에너지 전환

600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

110nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/100ns

테스트 조건

480V, 32A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

50ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

STGP20NC60V

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

전력-최대

200W

에너지 전환

220µJ (on), 330µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

31ns/100ns

테스트 조건

390V, 20A, 3.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

STGP12NB60KD

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 12A

전력-최대

125W

에너지 전환

258µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

54nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/96ns

테스트 조건

480V, 12A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

80ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

NGB15N41CLT4

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

440V

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전류-수집기 펄스 (Icm)

50A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 4V, 10A

전력-최대

107W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/4µs

테스트 조건

300V, 6.5A, 1kOhm

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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IGBT 유형

-

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1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 10A

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에너지 전환

1.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

65nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/160ns

테스트 조건

1360V, 10A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

360ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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