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APT34N80B2C3G

APT34N80B2C3G

참조 용

부품 번호 APT34N80B2C3G
PNEDA 부품 번호 APT34N80B2C3G
설명 MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
제조업체 Microsemi
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APT34N80B2C3G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APT34N80B2C3G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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APT34N80B2C3G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)34A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs145mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.9V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs355nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds4510pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)417W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지T-MAX™ [B2]
패키지 / 케이스TO-247-3 Variant

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15.2nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

770pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3W (Ta), 26W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-WDFN (3.3x3.3)

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

AOK2500L

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Ta), 180A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

136nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6460pF @ 75V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.1W (Ta), 500W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247

패키지 / 케이스

TO-247-3

IMW120R140M1HXKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolSiC™

FET 유형

N-Channel

기술

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1.2kV

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

15V, 18V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

182mOhm @ 6A, 18V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.7V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 18V

Vgs (최대)

+23V, -7V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

454pF @ 800V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

94W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3-41

패키지 / 케이스

TO-247-3

EKI04047

Sanken

제조업체

Sanken

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 42.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 650µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35.3nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2410pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

90W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

IXTH02N250

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

2500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200mA (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

450Ohm @ 50mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.4nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

116pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

83W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247 (IXTH)

패키지 / 케이스

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