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APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

참조 용

부품 번호 APT35GP120B2DQ2G
PNEDA 부품 번호 APT35GP120B2DQ2G
설명 IGBT 1200V 96A 543W TMAX
제조업체 Microsemi
단가
1 ---------- $67.8340
50 ---------- $64.6543
100 ---------- $61.4745
200 ---------- $58.2948
400 ---------- $55.6451
500 ---------- $52.9953
재고 있음 98
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APT35GP120B2DQ2G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APT35GP120B2DQ2G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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  • APT35GP120B2DQ2G Datasheet
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  • Datasheet APT35GP120B2DQ2G
  • APT35GP120B2DQ2G Supplier

  • Microsemi Distributor
  • APT35GP120B2DQ2G Price
  • APT35GP120B2DQ2G Distributor

APT35GP120B2DQ2G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈POWER MOS 7®
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)96A
전류-수집기 펄스 (Icm)140A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.9V @ 15V, 35A
전력-최대543W
에너지 전환750µJ (on), 680µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지150nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C16ns/95ns
테스트 조건600V, 35A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지-

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

31A

전류-수집기 펄스 (Icm)

62A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 15A

전력-최대

208W

에너지 전환

220µJ (on), 340µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

56nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

34ns/184ns

테스트 조건

400V, 15A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

92ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

AUIRG4BC30SSTRL

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

34A

전류-수집기 펄스 (Icm)

68A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 18A

전력-최대

100W

에너지 전환

260µJ (on), 3.45mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

50nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/540ns

테스트 조건

480V, 18A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

RGT8NS65DGTL

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전류-수집기 펄스 (Icm)

12A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 4A

전력-최대

65W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

13.5nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/69ns

테스트 조건

400V, 4A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

40ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

LPDS (TO-263S)

STGFW35HF60W

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

36A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

전력-최대

88W

에너지 전환

290µJ (on), 185µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

140nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/175ns

테스트 조건

400V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-3PF

ISL9V3040D3S

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

430V

전류-수집기 (Ic) (최대)

21A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 6A

전력-최대

150W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

17nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/4.8µs

테스트 조건

300V, 1kOhm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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