APTC60AM42F2G
참조 용
| 부품 번호 | APTC60AM42F2G |
| PNEDA 부품 번호 | APTC60AM42F2G |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 600V 66A SP2 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,042 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTC60AM42F2G 리소스
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APTC60AM42F2G 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | CoolMOS™ |
| FET 유형 | 2 N Channel (Phase Leg) |
| FET 기능 | Super Junction |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 600V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 66A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 33A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 6mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 510nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 14600pF @ 25V |
| 전력-최대 | 416W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP2 |
| 공급자 장치 패키지 | SP2 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 195mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6.3nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 251pF @ 25V 전력-최대 2.3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 38mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 21.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 906pF @ 10V 전력-최대 900mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-UFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 U-DFN2030-6 (Type B) |
제조업체 IXYS 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 83A Rds On (최대) @ Id, Vgs 25mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 450nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 15000pF @ 25V 전력-최대 380W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 TO-240AA 공급자 장치 패키지 TO-240AA |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.5A (Ta), 26A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 28mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 13µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 350pF @ 25V 전력-최대 3W (Ta), 19W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.2A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 85mOhm @ 5.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.7nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 100pF @ 10V 전력-최대 2W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
