SI1033X-T1-GE3
참조 용
| 부품 번호 | SI1033X-T1-GE3 |
| PNEDA 부품 번호 | SI1033X-T1-GE3 |
| 설명 | MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SC89 |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,380 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 9 - 4월 14 (신속 배송 선택) |
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SI1033X-T1-GE3 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SI1033X-T1-GE3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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SI1033X-T1-GE3 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | TrenchFET® |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 145mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 150mA, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력-최대 | 250mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
| 공급자 장치 패키지 | SC-89-6 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Micro Commercial Co 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate, 1.8V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A, 4.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs 24mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 630pF @ 10V 전력-최대 - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 DFN2020-6U |
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