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APTC60DDAM45CT1G

APTC60DDAM45CT1G

참조 용

부품 번호 APTC60DDAM45CT1G
PNEDA 부품 번호 APTC60DDAM45CT1G
설명 MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
제조업체 Microsemi
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재고 있음 2,826
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 19 - 3월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTC60DDAM45CT1G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTC60DDAM45CT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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APTC60DDAM45CT1G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈CoolMOS™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)49A
Rds On (최대) @ Id, Vgs45mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.9V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs150nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds7200pF @ 25V
전력-최대250W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP1
공급자 장치 패키지SP1

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

660mA, 410mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

385mOhm @ 660mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

600mV @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

270mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-70-6 (SOT-363)

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

115mOhm @ 2.3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

467pF @ 10V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

SuperSOT™-6

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Advanced Linear Devices Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual) Matched Pair

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

270Ohm @ 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

FDMC8298

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

UT6MA2TCR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.3nC, 6.7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

180pF, 305pF @ 15V

전력-최대

2W (Ta)

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