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APTC60HM70RT3G

APTC60HM70RT3G

참조 용

부품 번호 APTC60HM70RT3G
PNEDA 부품 번호 APTC60HM70RT3G
설명 MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3F
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,146
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTC60HM70RT3G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTC60HM70RT3G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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APTC60HM70RT3G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈CoolMOS™
FET 유형4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)39A
Rds On (최대) @ Id, Vgs70mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.9V @ 2.7mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs259nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds7000pF @ 25V
전력-최대250W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형-
패키지 / 케이스SP3
공급자 장치 패키지SP3

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60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

330mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

350pF @ 25V

전력-최대

3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A (Ta), 2.7A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3.5A, 10V, 100mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA, 2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5nC @ 10V, 5.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

210pF @ 15V, 240pF @ 15V

전력-최대

1.15W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-74, SOT-457

공급자 장치 패키지

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ECH8601M-C-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

24V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-ECH

FDD3510H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel, Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.3A, 2.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

800pF @ 40V

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 6.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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