APTC60HM70RT3G
참조 용
| 부품 번호 | APTC60HM70RT3G |
| PNEDA 부품 번호 | APTC60HM70RT3G |
| 설명 | MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3F |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,146 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 21 - 4월 26 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTC60HM70RT3G 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APTC60HM70RT3G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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APTC60HM70RT3G 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | CoolMOS™ |
| FET 유형 | 4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 600V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 39A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 39A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.9V @ 2.7mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 259nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 7000pF @ 25V |
| 전력-최대 | 250W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | SP3 |
| 공급자 장치 패키지 | SP3 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel Complementary FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.5A (Ta), 2.7A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.5A, 10V, 100mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA, 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5nC @ 10V, 5.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 210pF @ 15V, 240pF @ 15V 전력-최대 1.15W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지 6-TSOP |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 40mOhm @ 6.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8 Dual |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 350pF @ 25V 전력-최대 3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-223-8 공급자 장치 패키지 SOT-223 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 N and P-Channel, Common Drain FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.3A, 2.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 80mOhm @ 4.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 18nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 800pF @ 40V 전력-최대 1.3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD 공급자 장치 패키지 TO-252-4L |
