APTC80H29T1G
참조 용
| 부품 번호 | APTC80H29T1G |
| PNEDA 부품 번호 | APTC80H29T1G |
| 설명 | MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,970 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 1 - 2월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTC80H29T1G 리소스
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APTC80H29T1G 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 800V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 15A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.9V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2254pF @ 25V |
| 전력-최대 | 156W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP1 |
| 공급자 장치 패키지 | SP1 |
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제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFET™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 290A Rds On (최대) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 145A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 30mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1440nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 40000pF @ 25V 전력-최대 1500W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Y3-DCB 공급자 장치 패키지 Y3-DCB |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 POWER MOS 7® FET 유형 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 18A Rds On (최대) @ Id, Vgs 540mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 154nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4350pF @ 25V 전력-최대 357W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP4 공급자 장치 패키지 SP4 |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8.6A, 6.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 15mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 40nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1810pF @ 20V 전력-최대 1.2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
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