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APTGT100DA60TG

APTGT100DA60TG

참조 용

부품 번호 APTGT100DA60TG
PNEDA 부품 번호 APTGT100DA60TG
설명 IGBT 600V 150A 340W SP4
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 3,438
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 7 - 3월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTGT100DA60TG 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTGT100DA60TG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
APTGT100DA60TG, APTGT100DA60TG 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 256.91 KB)
PDFAPTGT100DA60TG 데이터 시트 표지
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APTGT100DA60TG 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)150A
전력-최대340W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대)250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce6.1nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP4
공급자 장치 패키지SP4

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Microsemi Corporation

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-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전력-최대

340W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6.1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

FF600R12IE4PNOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

600A

전력-최대

3350W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 600A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

37nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGF90DA60CT1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

110A

전력-최대

416W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

FB30R06W1E3BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

39A

전력-최대

115W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.65nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VS-CPV363M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

11A

전력-최대

36W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

0.74nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

19-SIP (13 Leads), IMS-2

공급자 장치 패키지

IMS-2

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