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APTGT50H120T3G

APTGT50H120T3G

참조 용

부품 번호 APTGT50H120T3G
PNEDA 부품 번호 APTGT50H120T3G
설명 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 3,276
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 12 - 4월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTGT50H120T3G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTGT50H120T3G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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  • APTGT50H120T3G Distributor

APTGT50H120T3G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)75A
전력-최대270W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대)250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce3.6nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP3
공급자 장치 패키지SP3

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Powerex Inc.

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전력-최대

390W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

8.5nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VS-ETF075Y60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

구성

Three Level Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

109A

전력-최대

294W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.93V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.44nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

EMIPAK-2B

공급자 장치 패키지

EMIPAK-2B

FZ1200R33KL2CB5NOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

2300A

전력-최대

14500W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.65V @ 15V, 1200A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

145nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

BSM50GB170DN2HOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

72A

전력-최대

500W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

8nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGF360U60D4G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

450A

전력-최대

1560W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 360A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

17nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D4

공급자 장치 패키지

D4

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