APTM100A40FT1G
참조 용
| 부품 번호 | APTM100A40FT1G |
| PNEDA 부품 번호 | APTM100A40FT1G |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,884 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 20 - 4월 25 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTM100A40FT1G 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APTM100A40FT1G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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APTM100A40FT1G 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1000V (1kV) |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 21A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 18A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 305nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 7868pF @ 25V |
| 전력-최대 | 390W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP1 |
| 공급자 장치 패키지 | SP1 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.03A Rds On (최대) @ Id, Vgs 750mOhm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.62nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 59.76pF @ 16V 전력-최대 530mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 SOT-563 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 900mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 260mOhm @ 880mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.1nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 184pF @ 10V 전력-최대 450mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SOT-363 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V, 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 400mA, 3.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.7nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 26.2pF @ 10V 전력-최대 1.2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 TSOT-26 |
제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFET™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 33A Rds On (최대) @ Id, Vgs 40mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 90nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3700pF @ 25V 전력-최대 125W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 i4-Pac™-5 공급자 장치 패키지 ISOPLUS i4-PAC™ |
제조업체 IXYS 시리즈 TrenchMV™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 85V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 112A Rds On (최대) @ Id, Vgs 6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 152nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7600pF @ 25V 전력-최대 150W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 ISOPLUSi5-Pak™ 공급자 장치 패키지 ISOPLUSi5-Pak™ |
