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APTM120H57FTG

APTM120H57FTG

참조 용

부품 번호 APTM120H57FTG
PNEDA 부품 번호 APTM120H57FTG
설명 MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4
제조업체 Microsemi
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재고 있음 8,118
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTM120H57FTG 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTM120H57FTG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
APTM120H57FTG, APTM120H57FTG 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 293.12 KB)
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APTM120H57FTG 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
FET 유형4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)17A
Rds On (최대) @ Id, Vgs684mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs187nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5155pF @ 25V
전력-최대390W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP4
공급자 장치 패키지SP4

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

700mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

270mOhm @ 700mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

146pF @ 6V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.1A, 4.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

52mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.6nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

455pF @ 10V

전력-최대

4.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

1206-8 ChipFET™

SLA5073

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Sanken

시리즈

-

FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

300mOhm @ 3A, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

320pF @ 10V

전력-최대

5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

15-SIP Exposed Tab, Formed Leads

공급자 장치 패키지

15-ZIP

AO6601

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.4A, 2.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

285pF @ 15V

전력-최대

1.15W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-74, SOT-457

공급자 장치 패키지

6-TSOP

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

250mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

290pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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