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APTM50DHM35G

APTM50DHM35G

참조 용

부품 번호 APTM50DHM35G
PNEDA 부품 번호 APTM50DHM35G
설명 MOSFET 2N-CH 500V 99A SP6
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 2,124
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTM50DHM35G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTM50DHM35G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
APTM50DHM35G, APTM50DHM35G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 278.96 KB)
PDFAPTM50DHM35G 데이터 시트 표지
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  • APTM50DHM35G Distributor

APTM50DHM35G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)99A
Rds On (최대) @ Id, Vgs39mOhm @ 49.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs280nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds14000pF @ 25V
전력-최대781W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP6
공급자 장치 패키지SP6

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ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

330pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

UT6K30TCR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

153mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.7V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.1nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

110pF @ 30V

전력-최대

2W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerUDFN

공급자 장치 패키지

HUML2020L8

DMN4031SSDQ-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

31mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

945pF @ 20V

전력-최대

1.42W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

IRF7904TRPBF-1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

AON6974A

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

SRFET™

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22A, 30A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1037pF @ 15V

전력-최대

3.6W, 4.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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