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AUIRF7342Q

AUIRF7342Q

참조 용

부품 번호 AUIRF7342Q
PNEDA 부품 번호 AUIRF7342Q
설명 MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,888
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 3 - 12월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AUIRF7342Q 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AUIRF7342Q
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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AUIRF7342Q 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs105mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs38nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds690pF @ 25V
전력-최대2W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A, 1.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

325mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.7nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

290pF @ 25V

전력-최대

1.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

TSMT8

NTLJD2104PTBG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

800mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

467pF @ 6V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-WDFN (2x2)

2N7002VA-7-F

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

280mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 25V

전력-최대

150mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563

SI8902EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 980µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-MICRO FOOT®CSP

공급자 장치 패키지

6-Micro Foot™ (2.36x1.56)

DMN63D8LDW-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

220mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.8Ohm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

870nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

22pF @ 25V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-363

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