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AUIRFS4310TRL

AUIRFS4310TRL

참조 용

부품 번호 AUIRFS4310TRL
PNEDA 부품 번호 AUIRFS4310TRL
설명 MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 4,302
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AUIRFS4310TRL 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AUIRFS4310TRL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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  • AUIRFS4310TRL Distributor

AUIRFS4310TRL 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs7mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs250nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds7670pF @ 50V
FET 기능-
전력 손실 (최대)300W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D2PAK
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

400A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

420nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

24000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1000W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

TO-247-3

NDBA100N10BT4H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V, 15V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.9mOhm @ 50A, 15V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2950pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

110W (Tc)

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STB60NF06T4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

STripFET™ II

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

60A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

66nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1810pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

110W (Tc)

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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23A (Ta), 70A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2830pF @ 15V

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-

전력 손실 (최대)

6.2W (Ta), 78W (Tc)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

65A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.5nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1330pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.04W (Ta), 62.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

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