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NDBA100N10BT4H

NDBA100N10BT4H

참조 용

부품 번호 NDBA100N10BT4H
PNEDA 부품 번호 NDBA100N10BT4H
설명 MOSFET N-CH 100V 100A DPAK
제조업체 ON Semiconductor
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NDBA100N10BT4H 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NDBA100N10BT4H
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
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  • NDBA100N10BT4H Distributor

NDBA100N10BT4H 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V, 15V
Rds On (최대) @ Id, Vgs6.9mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs35nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2950pF @ 50V
FET 기능-
전력 손실 (최대)110W (Tc)
작동 온도175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D²PAK (TO-263)
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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드레인-소스 전압 (Vdss)

900V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

110W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247-3

패키지 / 케이스

TO-247-3

STW35N65M5

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MDmesh™ V

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

27A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

98mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

83nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3750pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

160W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247-3

패키지 / 케이스

TO-247-3

BUK9M7R2-40EX

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

70A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19.7nC @ 5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2567pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

79W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

LFPAK33

패키지 / 케이스

SOT-1210, 8-LFPAK33

DMT6009LFG-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Ta), 34A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

33.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1925pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.08W (Ta), 19.2W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

61A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7mOhm @ 37A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

47W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

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