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BF999E6327HTSA1

BF999E6327HTSA1

참조 용

부품 번호 BF999E6327HTSA1
PNEDA 부품 번호 BF999E6327HTSA1
설명 MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,240
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BF999E6327HTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BF999E6327HTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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  • BF999E6327HTSA1 Distributor

BF999E6327HTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형N-Channel
주파수45MHz
이득27dB
전압-테스트10V
전류 정격 (Amps)30mA
소음 수치2.1dB
현재-테스트10mA
전원-출력-
전압-정격20V
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3

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Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

849MHz

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

500mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

23dBmW

전압-정격

10V

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

PW-MINI

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

230MHz

이득

26.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

300W

전압-정격

130V

패키지 / 케이스

NI-780S-4

공급자 장치 패키지

NI-780S-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

945MHz

이득

19dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

250mA

전원-출력

30W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-360S

공급자 장치 패키지

NI-360S

QPD1003

RFMD

제조업체

RFMD

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

15.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

130mA

전원-출력

10W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

TO-270AA

공급자 장치 패키지

TO-270-2

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