MRFE6VP6300HSR5
참조 용
| 부품 번호 | MRFE6VP6300HSR5 |
| PNEDA 부품 번호 | MRFE6VP6300HSR5 |
| 설명 | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4 |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,184 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRFE6VP6300HSR5 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRFE6VP6300HSR5 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRFE6VP6300HSR5 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS (Dual) |
| 주파수 | 230MHz |
| 이득 | 26.5dB |
| 전압-테스트 | 50V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 100mA |
| 전원-출력 | 300W |
| 전압-정격 | 130V |
| 패키지 / 케이스 | NI-780S-4 |
| 공급자 장치 패키지 | NI-780S-4 |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.99GHz 이득 13dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1.2A 전원-출력 26W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-880S 공급자 장치 패키지 NI-880S |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2.11GHz 이득 16.7dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1.5A 전원-출력 50W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-780S 공급자 장치 패키지 NI-780S |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 230MHz 이득 26.5dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 100mA 전원-출력 300W 전압-정격 133V 패키지 / 케이스 NI-780S-4 공급자 장치 패키지 NI-780S-4 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 760MHz 이득 19.5dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 600mA 전원-출력 60W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지 H-37265-2 |
