BSM150GB120DN2HOSA1
참조 용
| 부품 번호 | BSM150GB120DN2HOSA1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | BSM150GB120DN2HOSA1 | ||||||||||||||||||
| 설명 | IGBT 2 MED POWER 62MM-1 | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 5,920 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 3월 30 - 4월 4 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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BSM150GB120DN2HOSA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BSM150GB120DN2HOSA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-IGBT-모듈 |
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BSM150GB120DN2HOSA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | - |
| IGBT 유형 | - |
| 구성 | Half Bridge |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 1200V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 210A |
| 전력-최대 | 1250W |
| Vce (on) (최대) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 150A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 2.8mA |
| 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce | 11nF @ 25V |
| 입력 | Standard |
| NTC 서미스터 | No |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | Module |
| 공급자 장치 패키지 | Module |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - IGBT 유형 NPT 구성 Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대) 75A 전력-최대 312W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대) 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce 3.45nF @ 25V 입력 Standard NTC 서미스터 Yes 작동 온도 - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP1 공급자 장치 패키지 SP1 |
