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BSS84DW-7

BSS84DW-7

참조 용

부품 번호 BSS84DW-7
PNEDA 부품 번호 BSS84DW-7
설명 MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 8,118
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSS84DW-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSS84DW-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
BSS84DW-7, BSS84DW-7 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 201.79 KB)
PDFBSS84DW-7 데이터 시트 표지
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BSS84DW-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)130mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs10Ohm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds45pF @ 25V
전력-최대300mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SOT-363

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ON Semiconductor

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

95mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.2nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

220pF @ 15V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

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Nexperia

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1947pF @ 25V

전력-최대

64W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-1205, 8-LFPAK56

공급자 장치 패키지

LFPAK56D

CWDM305ND TR13

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.3nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

560pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

TPD3215M

Transphorm

제조업체

Transphorm

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

GaNFET (Gallium Nitride)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

70A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

34mOhm @ 30A, 8V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2260pF @ 100V

전력-최대

470W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Module

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

160A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.3mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3238pF @ 20V

전력-최대

187W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Surface Mount

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