BSZ0910NDXTMA1
참조 용
| 부품 번호 | BSZ0910NDXTMA1 |
| PNEDA 부품 번호 | BSZ0910NDXTMA1 |
| 설명 | DIFFERENTIATED MOSFETS |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,268 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BSZ0910NDXTMA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BSZ0910NDXTMA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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BSZ0910NDXTMA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | OptiMOS™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 9.5A (Ta), 25A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 5.6nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 800pF @ 15V |
| 전력-최대 | 1.9W (Ta), 31W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN |
| 공급자 장치 패키지 | PG-WISON-8 |
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제조업체 Microchip Technology 시리즈 - FET 유형 2 N and 2 P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 10Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 52pF @ 25V 전력-최대 - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 12-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 12-DFN (4x4) |
