BUK7J1R4-40HX
참조 용
| 부품 번호 | BUK7J1R4-40HX |
| PNEDA 부품 번호 | BUK7J1R4-40HX |
| 설명 | MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 |
| 제조업체 | Nexperia |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,772 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 26 - 5월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BUK7J1R4-40HX 리소스
| 브랜드 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BUK7J1R4-40HX |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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BUK7J1R4-40HX 사양
| 제조업체 | Nexperia USA Inc. |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 40V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 120A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.6V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 126nC @ 10V |
| Vgs (최대) | +20V, -10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 8155pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 395W (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | LFPAK56, Power-SO8 |
| 패키지 / 케이스 | SOT-1023, 4-LFPAK |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 100pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-223 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA |
제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 400V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.9Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6nC @ 100V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 165pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 20W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220FL 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11.4A (Ta), 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 110µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 53nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3900pF @ 50V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 156W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-TDSON-8-1 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 E FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 240mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 23nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 783pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 31W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220 Full Pack 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 31mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6.3nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 310pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.4W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
