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BUK9K89-100E,115

BUK9K89-100E,115

참조 용

부품 번호 BUK9K89-100E,115
PNEDA 부품 번호 BUK9K89-100E-115
설명 MOSFET 2N-CH 100V 12.5A LFPAK56D
제조업체 Nexperia
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BUK9K89-100E 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BUK9K89-100E,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
BUK9K89-100E, BUK9K89-100E 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 726.68 KB)
PDFBUK9K89-100E 데이터 시트 표지
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BUK9K89-100E 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)12.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs85mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs16.8nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1108pF @ 25V
전력-최대38W
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-1205, 8-LFPAK56
공급자 장치 패키지LFPAK56D

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Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.1Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

17pF @ 25V

전력-최대

300mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

US6

TC1550TG-G

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60Ohm @ 50mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

55pF @ 25V

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

SI1917EDH-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

370mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

450mV @ 100µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

570mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-70-6 (SOT-363)

BSO200N03

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 7.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 13µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1010pF @ 15V

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

PG-DSO-8

FDW2520C

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A, 4.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1325pF @ 10V

전력-최대

600mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

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