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TC1550TG-G

TC1550TG-G

참조 용

부품 번호 TC1550TG-G
PNEDA 부품 번호 TC1550TG-G
설명 MOSFET N/P-CH 500V 8SOIC
제조업체 Microchip Technology
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TC1550TG-G 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TC1550TG-G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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TC1550TG-G 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs60Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds55pF @ 25V
전력-최대-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

47A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 44A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 3mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

190nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6800pF @ 100V

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

ISOPLUS264™

공급자 장치 패키지

ISOPLUS264™

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Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

625pF @ 10V

전력-최대

450mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP (5.5x6.0)

AO4612L

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A (Ta), 3.2A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

56mOhm @ 4.5A, 10V, 105mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.5nC @ 10V, 20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

540pF @ 30V, 1120pF @ 30V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

TC8020K6-G-M937

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

FET 유형

6 N and 6 P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 25V

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-VFQFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1290pF @ 10V

전력-최대

600mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

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