TPC8213-H(TE12LQ,M
참조 용
| 부품 번호 | TPC8213-H(TE12LQ,M |
| PNEDA 부품 번호 | TPC8213-H-TE12LQ-M |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8 |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,276 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 30 - 4월 4 (신속 배송 선택) |
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TPC8213-H(TE12LQ 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | TPC8213-H(TE12LQ,M |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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TPC8213-H(TE12LQ 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.3V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 625pF @ 10V |
| 전력-최대 | 450mW |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SOP (5.5x6.0) |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 21mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 450mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 55nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
