CAS325M12HM2
참조 용
| 부품 번호 | CAS325M12HM2 |
| PNEDA 부품 번호 | CAS325M12HM2 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 1200V 444A MODULE |
| 제조업체 | Cree/Wolfspeed |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,002 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 23 - 3월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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CAS325M12HM2 리소스
| 브랜드 | Cree/Wolfspeed |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | CAS325M12HM2 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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CAS325M12HM2 사양
| 제조업체 | Cree/Wolfspeed |
| 시리즈 | Z-REC™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 기능 | Silicon Carbide (SiC) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 444A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 400A, 20V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 105mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 1127nC @ 20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력-최대 | 3000W |
| 작동 온도 | 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | Module |
| 공급자 장치 패키지 | Module |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 30µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 870pF @ 25V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 EPC 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 16A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 230pF @ 15V, 590pF @ 15V 전력-최대 - 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 Die 공급자 장치 패키지 Die |
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