CCS020M12CM2
참조 용
| 부품 번호 | CCS020M12CM2 |
| PNEDA 부품 번호 | CCS020M12CM2 |
| 설명 | MOSFET 6N-CH 1200V 29.5A MODULE |
| 제조업체 | Cree/Wolfspeed |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,698 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 17 - 11월 22 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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CCS020M12CM2 리소스
| 브랜드 | Cree/Wolfspeed |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | CCS020M12CM2 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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CCS020M12CM2 사양
| 제조업체 | Cree/Wolfspeed |
| 시리즈 | Z-Rec® |
| FET 유형 | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET 기능 | Silicon Carbide (SiC) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 29.5A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 98mOhm @ 20A, 20V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.2V @ 1mA (Typ) |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 61.5nC @ 20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 900pF @ 800V |
| 전력-최대 | 167W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | Module |
| 공급자 장치 패키지 | Module |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 35mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 44nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1464pF @ 25V 전력-최대 1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
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