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CG2H30070F

CG2H30070F

참조 용

부품 번호 CG2H30070F
PNEDA 부품 번호 CG2H30070F
설명 RF MOSFET HEMT 28V
제조업체 Cree/Wolfspeed
단가
1 ---------- $17,346.5971
50 ---------- $16,533.4754
100 ---------- $15,720.3536
200 ---------- $14,907.2319
400 ---------- $14,229.6305
500 ---------- $13,552.0290
재고 있음 10,033
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CG2H30070F 리소스

브랜드 Cree/Wolfspeed
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CG2H30070F
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
CG2H30070F, CG2H30070F 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 210.01 KB)
PDFCG2H30070F 데이터 시트 표지
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  • CG2H30070F Distributor

CG2H30070F 사양

제조업체Cree/Wolfspeed
시리즈GaN
트랜지스터 유형HEMT
주파수-
이득-
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트-
전원-출력75W
전압-정격-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

450MHz

이득

12dB

전압-테스트

10V

전류 정격 (Amps)

60mA

소음 수치

3dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.92GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

550mA

전원-출력

37W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S-4

공급자 장치 패키지

NI-780S-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

595MHz ~ 851MHz

이득

17.5dB

전압-테스트

48V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

700mA

전원-출력

120W

전압-정격

105V

패키지 / 케이스

OM-1230-4L

공급자 장치 패키지

OM-1230-4L

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

800MHz

이득

-

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

40mA

소음 수치

2dB

현재-테스트

15mA

전원-출력

-

전압-정격

7V

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

6-TSSOP

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

HFET

주파수

2GHz

이득

16dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

120mA

소음 수치

0.6dB

현재-테스트

5mA

전원-출력

12dBm

전압-정격

4V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-343

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