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CMLDM7003G TR

CMLDM7003G TR

참조 용

부품 번호 CMLDM7003G TR
PNEDA 부품 번호 CMLDM7003G-TR
설명 MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
제조업체 Central Semiconductor Corp
단가 견적 요청
재고 있음 8,244
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CMLDM7003G TR 리소스

브랜드 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CMLDM7003G TR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
CMLDM7003G TR, CMLDM7003G TR 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 723.25 KB)
PDFCMLDM7003G TR 데이터 시트 표지
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CMLDM7003G TR 사양

제조업체Central Semiconductor Corp
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)280mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.76nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds50pF @ 25V
전력-최대350mW
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지SOT-563

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V, 12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

500mA, 3.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

27.6pF @ 10V

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

TSOT-26

BSL806NH6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 1.8V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.3A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

57mOhm @ 2.3A, 2.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

750mV @ 11µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.7nC @ 2.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

259pF @ 10V

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

PG-TSOP-6-6

APTM50HM75SCTG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

4 N-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

46A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

123nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5590pF @ 25V

전력-최대

357W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

45A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7600pF @ 25V

전력-최대

568W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

CTLDM8120-M832DS BK

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

860mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.56nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

200pF @ 16V

전력-최대

1.65W

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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