DMC2057UVT-13
참조 용
| 부품 번호 | DMC2057UVT-13 |
| PNEDA 부품 번호 | DMC2057UVT-13 |
| 설명 | MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R |
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,190 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 26 - 1월 31 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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DMC2057UVT-13 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | DMC2057UVT-13 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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DMC2057UVT-13 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N and P-Channel Complementary |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4A (Ta), 3.3A (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 5A, 4.5V, 70mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 416pF @ 10V, 536pF @ 10V |
| 전력-최대 | 700mW (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 공급자 장치 패키지 | TSOT-26 |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10A, 12A Rds On (최대) @ Id, Vgs 9.3mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.55V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 11nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 900pF @ 10V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
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