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FDPC8012S

FDPC8012S

참조 용

부품 번호 FDPC8012S
PNEDA 부품 번호 FDPC8012S
설명 MOSFET 2N-CH 25V 13A/26A PWR CLP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 93,132
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 25 - 4월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDPC8012S 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDPC8012S
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDPC8012S, FDPC8012S 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 657.67 KB)
PDFFDPC8012S 데이터 시트 표지
FDPC8012S 데이터 시트 페이지 2 FDPC8012S 데이터 시트 페이지 3 FDPC8012S 데이터 시트 페이지 4 FDPC8012S 데이터 시트 페이지 5 FDPC8012S 데이터 시트 페이지 6 FDPC8012S 데이터 시트 페이지 7 FDPC8012S 데이터 시트 페이지 8 FDPC8012S 데이터 시트 페이지 9 FDPC8012S 데이터 시트 페이지 10 FDPC8012S 데이터 시트 페이지 11

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FDPC8012S 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)13A, 26A
Rds On (최대) @ Id, Vgs7mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1075pF @ 13V
전력-최대800mW, 900mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지Powerclip-33

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FET 유형

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

112mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

210pF @ 20V

전력-최대

10W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® ChipFET™ Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® ChipFet Dual

BSL308PEL6327HTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 11µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

500pF @ 15V

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

PG-TSOP-6-6

SUD50NP04-77P-T4E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel, Common Drain

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

37mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

640pF @ 20V

전력-최대

10.8W, 24W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

공급자 장치 패키지

TO-252-4L

SI8902AEDB-T2-E1

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

24V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

5.7W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UFBGA

공급자 장치 패키지

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FDZ2554PZ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1430pF @ 10V

전력-최대

2.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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