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DMN2400UV-7

DMN2400UV-7

참조 용

부품 번호 DMN2400UV-7
PNEDA 부품 번호 DMN2400UV-7
설명 MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 371,334
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMN2400UV-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMN2400UV-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMN2400UV-7, DMN2400UV-7 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 151.22 KB)
PDFDMN2400UV-7 데이터 시트 표지
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DMN2400UV-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1.33A
Rds On (최대) @ Id, Vgs480mOhm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds36pF @ 16V
전력-최대530mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지SOT-563

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

38A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 3mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

220nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

72A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 36A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 2mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

518nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14000pF @ 25V

전력-최대

416W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A (Ta), 16A (Tc), 15A (Ta), 18A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10.2mOhm @ 13A, 10V, 7.7mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 10V, 17.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

485pF @ 15V, 807pF @ 15V

전력-최대

2.5W (Ta), 23W (Tc), 2.5W (Ta), 25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN-EP (3x3)

SLA5068 LF853

Sanken

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Sanken

시리즈

-

FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

660pF @ 10V

전력-최대

5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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FET 유형

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 8.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1200pF @ 10V

전력-최대

800mW

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