DMTH6010LPD-13
참조 용
| 부품 번호 | DMTH6010LPD-13 | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | DMTH6010LPD-13 | ||||||||||||||||||
| 설명 | MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 1,440 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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DMTH6010LPD-13 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | DMTH6010LPD-13 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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DMTH6010LPD-13 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 13.1A (Ta), 47.6A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 40.2nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2615pF @ 30V |
| 전력-최대 | 2.8W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN |
| 공급자 장치 패키지 | PowerDI5060-8 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 880mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 260mOhm @ 880mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 155pF @ 20V 전력-최대 272mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SC-88/SC70-6/SOT-363 |
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