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DSS5160FDB-7

DSS5160FDB-7

참조 용

부품 번호 DSS5160FDB-7
PNEDA 부품 번호 DSS5160FDB-7
설명 TRANS 2-PNP 1A 60V U-DFN2020-6
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 22,218
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 30 - 1월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DSS5160FDB-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DSS5160FDB-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이
데이터 시트
DSS5160FDB-7, DSS5160FDB-7 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 583.66 KB)
PDFDSS5160FDB-7 데이터 시트 표지
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DSS5160FDB-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대)1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic550mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce120 @ 500mA, 2V
전력-최대405mW
주파수-전환65MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지U-DFN2020-6 (Type B)

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Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 6V

전력-최대

300mW

주파수-전환

800MHz

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-74, SOT-457

공급자 장치 패키지

SM6

EMZ51T2R

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN, PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

전력-최대

150mW

주파수-전환

400MHz, 350MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

EMT6

EMZ7T2R

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN, PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 200mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

270 @ 10mA, 2V

전력-최대

150mW

주파수-전환

320MHz, 260MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

EMT6

NSV60100DMTWTBG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 100mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 500mA, 2V

전력-최대

2.27W

주파수-전환

155MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-WDFN (2x2)

ULN2004AID

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

트랜지스터 유형

7 NPN Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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