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ECH8651R-TL-HX

ECH8651R-TL-HX

참조 용

부품 번호 ECH8651R-TL-HX
PNEDA 부품 번호 ECH8651R-TL-HX
설명 MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8
제조업체 ON Semiconductor
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ECH8651R-TL-HX 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ECH8651R-TL-HX
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
ECH8651R-TL-HX, ECH8651R-TL-HX 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 304.66 KB)
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ECH8651R-TL-HX 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)10A
Rds On (최대) @ Id, Vgs14mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs24nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대1.5W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지8-ECH

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1400pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

NVMFD5853NWFT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1225pF @ 25V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

NDS9945

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

345pF @ 25V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

제조업체

IXYS

시리즈

-

FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

160A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

90nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

ISOPLUS-DIL™

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제조업체

TT Electronics/Optek Technology

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

90V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A, 1.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

70pF @ 25V

전력-최대

500mW

작동 온도

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