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ECH8654-TL-HQ

ECH8654-TL-HQ

참조 용

부품 번호 ECH8654-TL-HQ
PNEDA 부품 번호 ECH8654-TL-HQ
설명 MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8
제조업체 ON Semiconductor
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ECH8654-TL-HQ 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ECH8654-TL-HQ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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ECH8654-TL-HQ 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈*
FET 유형-
FET 기능-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지8-ECH

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

27mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

855pF @ 20V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

CSD87384MT

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제조업체

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.7mOhm @ 25A, 8V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1150pF @ 15V

전력-최대

8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

5-LGA

공급자 장치 패키지

5-PTAB (5x3.5)

BSL806NH6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 1.8V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.3A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

57mOhm @ 2.3A, 2.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

750mV @ 11µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.7nC @ 2.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

259pF @ 10V

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

PG-TSOP-6-6

APTM100H45SCTG

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제조업체

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시리즈

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FET 유형

4 N-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V (1kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

540mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

154nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4350pF @ 25V

전력-최대

357W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SP4

MP6M12TCR

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Rohm Semiconductor

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-

FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

250pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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