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EFC6604R-TR

EFC6604R-TR

참조 용

부품 번호 EFC6604R-TR
PNEDA 부품 번호 EFC6604R-TR
설명 MOSFET 2N-CH EFCP
제조업체 ON Semiconductor
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EFC6604R-TR 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EFC6604R-TR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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EFC6604R-TR 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs29nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대1.6W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-XFBGA
공급자 장치 패키지6-EFCP (1.9x1.46)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

760pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Super Junction

드레인-소스 전압 (Vdss)

900V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

59A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 52A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 6mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

540nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13600pF @ 100V

전력-최대

462W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

Vishay Siliconix

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 980µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-MICRO FOOT®CSP

공급자 장치 패키지

6-Micro Foot™ (2.36x1.56)

STL20DNF06LAG

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

670pF @ 25V

전력-최대

75W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.9V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

29nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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