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EMH2407-S-TL-HX

EMH2407-S-TL-HX

참조 용

부품 번호 EMH2407-S-TL-HX
PNEDA 부품 번호 EMH2407-S-TL-HX
설명 MOSFET 2N-CH 20V 6A EMH8
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,274
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

EMH2407-S-TL-HX 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EMH2407-S-TL-HX
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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  • EMH2407-S-TL-HX Distributor

EMH2407-S-TL-HX 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형-
FET 기능-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지8-EMH

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23.5A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33.6mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

714pF @ 30V

전력-최대

42W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

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시리즈

-

FET 유형

4 N-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

278A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 125A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

700nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

20000pF @ 25V

전력-최대

780W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

NVMFD5852NLWFT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

36nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1800pF @ 25V

전력-최대

3.2W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

제조업체

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

178nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10500pF @ 25V

전력-최대

170W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A, 5.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

29mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

300pF @ 15V

전력-최대

1.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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