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QH8MA3TCR

QH8MA3TCR

참조 용

부품 번호 QH8MA3TCR
PNEDA 부품 번호 QH8MA3TCR
설명 MOSFET N/P-CH 30V TSMT8
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,780
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 21 - 1월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

QH8MA3TCR 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호QH8MA3TCR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
QH8MA3TCR, QH8MA3TCR 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 4,241.03 KB)
PDFQH8MA3TCR 데이터 시트 표지
QH8MA3TCR 데이터 시트 페이지 2 QH8MA3TCR 데이터 시트 페이지 3 QH8MA3TCR 데이터 시트 페이지 4 QH8MA3TCR 데이터 시트 페이지 5 QH8MA3TCR 데이터 시트 페이지 6 QH8MA3TCR 데이터 시트 페이지 7 QH8MA3TCR 데이터 시트 페이지 8 QH8MA3TCR 데이터 시트 페이지 9 QH8MA3TCR 데이터 시트 페이지 10 QH8MA3TCR 데이터 시트 페이지 11

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  • QH8MA3TCR Distributor

QH8MA3TCR 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7A, 5.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs29mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs7.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds300pF @ 15V
전력-최대1.5W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지TSMT8

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Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

865pF @ 15V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

AON6816

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.2mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1540pF @ 15V

전력-최대

2.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerSMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

8-DFN-EP (5x6)

ECH8653-S-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-ECH

IRFH7911TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A, 28A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.6mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.35V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1060pF @ 15V

전력-최대

2.4W, 3.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

18-PowerVQFN

공급자 장치 패키지

PQFN (5x6)

IRF7304QTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

700mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

610pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

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