EPC2110
참조 용
| 부품 번호 | EPC2110 |
| PNEDA 부품 번호 | EPC2110 |
| 설명 | GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE |
| 제조업체 | EPC |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,680 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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EPC2110 리소스
| 브랜드 | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | EPC2110 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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EPC2110 사양
| 제조업체 | EPC |
| 시리즈 | eGaN® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| FET 기능 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 120V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.4A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4A, 5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 700µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.8nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 80pF @ 60V |
| 전력-최대 | - |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | Die |
| 공급자 장치 패키지 | Die |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 245mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 7Ohm @ 125mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 20pF @ 5V 전력-최대 755mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 6-WDFN (2x2) |
제조업체 Central Semiconductor Corp 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 280mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.59nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 50pF @ 25V 전력-최대 350mW 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 SOT-563 |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V, 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.5A, 1A Rds On (최대) @ Id, Vgs 240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 80pF @ 10V, 150pF @ 10V 전력-최대 1W 작동 온도 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 TUMT6 |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate, 0.9V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 200mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 800mV @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 26pF @ 10V 전력-최대 120mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 EMT6 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 28A Rds On (최대) @ Id, Vgs 150mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.9V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 180nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4507pF @ 25V 전력-최대 277W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP1 공급자 장치 패키지 SP1 |
