ESH1PDHM3/85A
참조 용
| 부품 번호 | ESH1PDHM3/85A |
| PNEDA 부품 번호 | ESH1PDHM3-85A |
| 설명 | DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,640 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 29 - 12월 4 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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ESH1PDHM3/85A 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | ESH1PDHM3/85A |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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ESH1PDHM3/85A 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | eSMP® |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 200V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 1A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 900mV @ 1A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 25ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 1µA @ 200V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-220AA |
| 공급자 장치 패키지 | DO-220AA (SMP) |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 175°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Powerex Inc. 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 3800V 전류-평균 정류 (Io) 1200A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.45V @ 1500A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 25µs 전류-역방향 누설 @ Vr 150mA @ 3800V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 DO-200AA, A-PUK 공급자 장치 패키지 DO-200AA, R62 작동 온도-접합 - |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1400V 전류-평균 정류 (Io) 50A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 125A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr - 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AB, DO-5, Stud 공급자 장치 패키지 DO-203AB (DO-5) 작동 온도-접합 -55°C ~ 160°C |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 2V 전류-평균 정류 (Io) 50mA (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 속도 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr - 커패시턴스 @ Vr, F 0.15pF @ 0V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 2-XDFN 공급자 장치 패키지 2-X2DFN (1x0.6) 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard, Reverse Polarity 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 800V 전류-평균 정류 (Io) 12A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 12A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AA, DO-4, Stud 공급자 장치 패키지 DO-4 작동 온도-접합 -65°C ~ 200°C |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/477 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 875mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 25ns 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F 25pF @ 10V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SQ-MELF, A 공급자 장치 패키지 A-MELF 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
