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FD800R17KE3B2NOSA1

FD800R17KE3B2NOSA1

참조 용

부품 번호 FD800R17KE3B2NOSA1
PNEDA 부품 번호 FD800R17KE3B2NOSA1
설명 IGBT MODULE 1700V 800A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,894
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 8 - 3월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FD800R17KE3B2NOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FD800R17KE3B2NOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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  • FD800R17KE3B2NOSA1 Distributor

FD800R17KE3B2NOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈*
IGBT 유형-
구성-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전력-최대-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic-
전류-수집기 차단 (최대)-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce-
입력-
NTC 서미스터-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

IM240M6Y2BAKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

8.9W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

40µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

23-DIP Module (0.573", 14.55mm)

공급자 장치 패키지

23-DIP

FF450R33T3E3B5BPSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

XHP™3

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

450A

전력-최대

1000000W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 450A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

84nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

AG-XHP100-6

FZ3600R17HE4PHPSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single Switch

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

7200A

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 3600A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

295nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

BSM75GAL120DN2HOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single Switch

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

105A

전력-최대

625W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

1.4mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

5.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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