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FDMD82100L

FDMD82100L

참조 용

부품 번호 FDMD82100L
PNEDA 부품 번호 FDMD82100L
설명 MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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예상 배송 4월 14 - 4월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDMD82100L 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDMD82100L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDMD82100L, FDMD82100L 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 448.84 KB)
PDFFDMD82100L 데이터 시트 표지
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FDMD82100L 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs19.5mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs24nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1585pF @ 50V
전력-최대1W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스12-PowerWDFN
공급자 장치 패키지12-Power3.3x5

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시리즈

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A, 5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.5nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

390pF @ 10V

전력-최대

1.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

TSMT8

SI5915BDC-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

420pF @ 4V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

1206-8 ChipFET™

ECH8667-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

39mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

600pF @ 10V

전력-최대

1.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-ECH

AO8804L

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17.9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1810pF @ 10V

전력-최대

1.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

32mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1081pF @ 25V

전력-최대

38W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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