FDMD8630
참조 용
| 부품 번호 | FDMD8630 |
| PNEDA 부품 번호 | FDMD8630 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 38A POWER5X6 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,736 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 15 - 4월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FDMD8630 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FDMD8630 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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FDMD8630 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | PowerTrench® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 38A (Ta), 167A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 1mOhm @ 38A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 142nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 9930pF @ 15V |
| 전력-최대 | 2.3W (Ta), 43W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerWDFN |
| 공급자 장치 패키지 | 8-Power 5x6 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs 50mOhm @ 5.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 44nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 780pF @ 25V 전력-최대 2.4W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 350pF @ 25V 전력-최대 3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-223-8 공급자 장치 패키지 SM8 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 CoolMOS™ FET 유형 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 39A Rds On (최대) @ Id, Vgs 70mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.9V @ 2.7mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 259nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 700pF @ 25V 전력-최대 250W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP3 공급자 장치 패키지 SP3 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 4 N-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 14.8A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 22mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 8.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 864pF @ 30V 전력-최대 - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 12-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 V-DFN5045-12 |
제조업체 Cree/Wolfspeed 시리즈 Z-Rec® FET 유형 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능 Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 29.5A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 98mOhm @ 20A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 1mA (Typ) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 61.5nC @ 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 900pF @ 800V 전력-최대 167W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Module 공급자 장치 패키지 Module |
