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FDMQ8403

FDMQ8403

참조 용

부품 번호 FDMQ8403
PNEDA 부품 번호 FDMQ8403
설명 MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12-MLP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,232
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDMQ8403 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDMQ8403
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDMQ8403, FDMQ8403 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 372.54 KB)
PDFFDMQ8403 데이터 시트 표지
FDMQ8403 데이터 시트 페이지 2 FDMQ8403 데이터 시트 페이지 3 FDMQ8403 데이터 시트 페이지 4 FDMQ8403 데이터 시트 페이지 5 FDMQ8403 데이터 시트 페이지 6 FDMQ8403 데이터 시트 페이지 7 FDMQ8403 데이터 시트 페이지 8

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FDMQ8403 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈GreenBridge™ PowerTrench®
FET 유형4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs110mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds215pF @ 15V
전력-최대1.9W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스12-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지12-MLP (5x4.5)

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18.3mOhm @ 8.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

540pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

제조업체

IXYS

시리즈

-

FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

180A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

94nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

17-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

ISOPLUS-DIL™

SI4388DY-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.7A, 11.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

946pF @ 15V

전력-최대

3.3W, 3.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

NVMFD5C674NLWFT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Ta), 42A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

640pF @ 25V

전력-최대

3W (Ta), 37W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

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APTC80H29T1G

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제조업체

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시리즈

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FET 유형

4 N-Channel (H-Bridge)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

290mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

90nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2254pF @ 25V

전력-최대

156W

작동 온도

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장착 유형

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