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FDS8935

FDS8935

참조 용

부품 번호 FDS8935
PNEDA 부품 번호 FDS8935
설명 MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $13.2915
100 ---------- $12.6685
250 ---------- $12.0454
500 ---------- $11.4224
750 ---------- $10.9032
1,000 ---------- $10.3840
재고 있음 2,944
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDS8935 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDS8935
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDS8935, FDS8935 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 253.25 KB)
PDFFDS8935 데이터 시트 표지
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FDS8935 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs183mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs19nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds879pF @ 40V
전력-최대1.6W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

900pF @ 15V

전력-최대

6W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.7A, 11.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

946pF @ 15V

전력-최대

3.3W, 3.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

FDMS3660S

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A, 30A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.7V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

29nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1765pF @ 15V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

700mOhm @ 600mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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